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新技術｜英飛凌首製成12吋GaN晶圓
By 信報財經新聞 on September 13, 2024
原文刊於信報財經新聞「EJ Tech 創科鬥室」
德國晶片製造商英飛凌（Infineon）周三（11日）宣布，成功開發出全球首個300毫米（12吋）氮化鎵（GaN）晶圓技術，生產晶片數量是200毫米（8吋）晶圓的2.3倍。該企已在旗下奧地利菲拉赫（Villach）功率晶圓廠，利用現有12吋矽生產設備的整合試產線，製造出12吋氮化鎵晶圓。
外購技術獲突破 料2027量產
以氮化鎵為基礎的半導體，通常用於工業、汽車、消費、計算及通訊上，涵蓋人工智能、太陽能電池板、摩打控制等系統的電源。英飛凌行政總裁漢貝克（Jochen Hanebeck）稱，該企正掌握三種材料：矽（Si）、碳化矽（SiC）及氮化鎵。
彭博報道，英飛凌去年斥資8.3億美元（約64.74億港元），收購加拿大渥太華的GaN Systems，之後才實現生產突破。報道引述摩根大通分析師說，英飛凌氮化鎵晶圓的樣本，相信到明年底才能提供，可能到2027年實現大批量產。
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